![]() ![]() ![]() More than one curve on a graph is called a "family of curves." Additional information for engineering-design purposes. A transistor characteristic curve is a graph plotting the relationship between currents and voltages in a circuit. Transistor characteristic curves may also be included in this section. The values listed may include collector-emitter voltage, collector current, input resistance, load resistance, current-transfer ratio(another name for alpha or beta), and collector cutoff current, which is leakage current from collector to base when no emitter current is applied. The values vary widely, are dependent upon operating voltages, and also upon which element is common in the circuit. These values are presented only as a guide. The typical operating values of the transistor. Maximum ratings usually include collector-to-base voltage, emitter-to-base voltage, collector current, emitter current, and collector power dissipation. The "Absolute Maximum Ratings" of the transistor are the direct voltage and current values that if exceeded in operation may result in transistor failure. The value of the capacitor can be anywhere between 0.1uF to 47uF but usually between 1.0uF and 10uF. The value of these capacitors are not important as long as it has no effect on the audio signal (IE accidently creates a lowpass filter) and the voltage rating is sufficient enough that it won't burn out. Which is essentially two normal electrolytic capacitors back to back in the one package. If you are unsure of the polarity required for the blocking capacitor you can use a bi-polar electrolytic. The reason you need them on both input and output is simply that you never know what you might connect your circuit up to and there is no convention. It is also usual to have one on the output stage which blocks any DC from leaving your circuit and propagating into any following equipment. The blocking capacitor is placed on the input near to where an unknown source is to enter the circuit. This may not be so in all cases but is a rule of thumb for most audio circuits. It is therefore usual to use a blocking capacitor to stop this happening. This would add up in the mixer stage to be +10 volts. Suppose you had 10 sources each with a +1volt DC offset. only the AC voltage (The audio signal) will get through. What this means is that any DC offset voltage emanating from a preceding stage or source will be knocked on the head. The idea is that a DC voltage can't got through a capacitor in series. the first is an electrolytic blocking capacitor. There are capacitors in two main circuit functions on the schematics above. Sie kann den vollen Drainstrom des MOSFETs führen, schaltet aber relativ langsam, so dass für schnelle Schalter externe Dioden benutzt werden. Bei der Anwendung ist die Body-Diode in der Regel in Sperrrichtung gepolt, bei manchen Schaltanwendungen kann sie jedoch genutzt werden, um Inversbetrieb zu verhindern. Diese sogenannte Body-Diode ist als Pfeil im Schaltsymbol des MOSFETs dargestellt und zeigt beim n-Kanal-MOSFET vom Bulk-Anschluss zum Kanal. Allerdings entsteht nun zusätzlich eine Diode zwischen Source- und Drain-Anschluss, die parallel zum eigentlichen Transistor liegt (Bulk mit dem p-dotierten Substrat und Drain mit dem n-Gebiet bilden den p-n-Übergang). Auf die grundlegende Funktion hat die Verbindung keinen Einfluss. Außerdem wird bei den meisten Bauformen Bulk intern mit Source verbunden, da ein Potentialunterschied zwischen Source und Bulk die Eigenschaften des Transistors (vor allem die Schwellenspannung) negativ beeinflusst (body effect). Prinzipiell sind Source- und Drain-Anschluss zunächst gleichwertig, meist ist der Aufbau aber nicht symmetrisch, um ein besseres Verhalten zu erzielen. Der entstandene dünne n-leitende Kanal verbindet nun die beiden n-Gebiete Source und Drain, wodurch Ladungsträger (beinahe) ungehindert von Source nach Drain fließen können. Dieser Zustand wird starke „Inversion" genannt. Es kommt zu einer Ansammlung von Minoritätsträgern, wodurch das eigentlich p-dotierte Substrat nahe an der Isolierschicht n-leitend wird. threshold voltage, Schwellspannung) ist die Verdrängung der Majoritätsladungsträger so groß, dass sie nicht mehr für die Rekombination zur Verfügung stehen. Das wirkt sich wie eine Verdrängung der Majoritätsträger aus und wird „Verarmung" genannt. Durch das elektrische Feld wandern im Substrat Minoritätsträger (bei p-Silizium Elektronen) an die Grenzschicht und rekombinieren mit den Majoritätsträgern (bei p-Silizium Defektelektronen). Durch diesen Aufbau bilden Gate-Anschluss, Dielektrikum und Bulk-Anschluss einen Kondensator, der beim Anlegen einer Spannung zwischen Gate und Bulk aufgeladen wird. ![]()
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